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百度　　文化创意人才　　在京注册运营、近3年年均营业收入3亿元以上(含)且年均税后净利润2000万元以上(含)的文化创意企业，其任职满3年的法定代表人、总经理等高级管理人员；　　新闻出版、广播影视、文化艺术、文物保护等领域国家级奖项获奖人和国家级文化创意人才培养工程入选人；　　社会贡献较大的知名媒体人、自由撰稿人、艺术经纪人、文化传承人、展览策划人和文化科技融合人才，以及著名的作家、导演、编剧、演员和节目主持等人员。

MOS管的的三个极，中间的电极为G极，两根线相交的极就是S极。而单独引线的就是D极，接着判断N沟道，由S极指向D极的为N沟道，接着判断P沟道，由D极指向S极为P沟道。

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请问如何测量N沟道MOSFET好坏？

标签：MOSFET N沟道 544 1

结型场效应管和金属氧化物场效应管的分类

标签：MOS N沟道 p沟道 14733 1

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标签：MOSFET N沟道 643 0

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标签：MOSFET N沟道 617 0

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标签：MOSFET N沟道 674 0

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标签：MOSFET N沟道 555 0

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标签：MOSFET N沟道 524 0

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标签：N沟道 MOSFET管 534 0

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类别：电子资料 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 120 0

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类别：IC datasheet pdf 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 66 0

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类别：IC datasheet pdf 2025-08-04 标签：场效应晶体管 N沟道 63 0

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类别：IC datasheet pdf 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 94 0

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类别：电子资料 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 59 0

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类别：电子资料 2025-08-04 标签：场效应晶体管 N沟道 89 0

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类别：电子资料 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 129 0

ZSKY-3400-3A SOT-23 N沟道增强型MOSFET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 63 0

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类别：电子资料 2025-08-04 标签：MOSFET N沟道 77 0

n沟道资讯

MOS管的工作原理：N沟道与P沟道的区别

MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子设备中最常用的半导体器件之一。它通过电场效应控制电流的导通与截止，广泛应用于放大、开关和信号处理等电路...

2025-08-04 标签：MOS管 N沟道 p沟道 908 0

纳祥科技30V 30A双N沟道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF

NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少...

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新洁能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列产品

新洁能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列产品覆盖了12V至200V的电压范围，主要适用于中低压场合，特别是在低压领域具有...

2025-08-04 标签：MOSFET MOS N沟道 786 0

FHP1906V高可靠性的N沟道增强型场效应管实现系统小型化和高效率

? 在12V蓄电池输入的车载高频逆变器中，利用DC/DC推挽拓扑的升压电路主要依赖MOS管来实现高效的能量转换。由此可知，在电路设计中如何给车载高频逆变...

2025-08-04 标签：场效应管 MOS管 N沟道 968 0

深入探索TK160F10N1L MOSFET：性能、优势及应用

在当今电子产品的发展中，功率半导体元件如MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...

2025-08-04 标签：MOSFET MOS N沟道 921 0

惠海HC005N03L 30V70A 70N03 N沟道MOS管大电流发热小投影仪方案

MOS管的工作原理是基于在P型半导体与N型半导体之间形成的PN结，通过改变栅极电压来调整沟道内载流子的数量，从而改变沟道电阻和源极与漏极之间的电流大小。...

2025-08-04 标签：MOS管投影仪 N沟道 617 0

MT3287 N沟道场效应管70V,80A,6.8mΩ。

MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性...

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惠海100V 15A HC070N10L TO-252封装 N沟道MOS管打火机/BMS电源板应用

惠海100V 15A HC070N10L TO-252封装 N沟道MOS管打火机/BMS电源板应用 MOS管的工作原理是基于在P型半导体与N型半导体之...

2025-08-04 标签：电源电阻 MOS管 1129 0

Littelfuse推出800V N沟道耗尽型MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。

2025-08-04 标签：MOSFET 封装 N沟道 1416 0

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40...

2025-08-04 标签：东芝封装 N沟道 1272 0

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